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Dual-Phase MOSFET Drivers
with Temperature Sensor
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(Circuit of Figure 2. V CC = V DD = V SHDN = V SKIP = 5V, T A = 0 ° C to +85 ° C . Typical values are at T A = +25 ° C, unless otherwise noted.)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Thermal-Shutdown Threshold
10 ° C hysteresis
+160
° C
LOGIC CONTROL SIGNALS
Logic Input High Voltage
Logic Input Low Voltage
SHDN , SKIP , PWM1, PWM2
SHDN , SKIP , PWM1, PWM2
2.4
0.8
V
V
Logic Input Current
SHDN , SKIP , PWM1, PWM2
-1
+1
μA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Circuit of Figure 2. V CC = V DD = V SHDN = V SKIP = 5V, T A = -40 ° C to +100 ° C , unless otherwise noted.) (Note 3)
PARAMETER
Input Voltage Range
SYMBOL
V CC
CONDITIONS
MIN
4.5
TYP
MAX
5.5
UNITS
V
V CC Undervoltage-Lockout
Threshold
V UVLO
85mV typical
hysteresis
V CC rising
V CC falling
3.4
3.3
4.1
4.0
V
V CC Quiescent Current
V DD Quiescent Current
V CC Shutdown Current
V DD Shutdown Current
I CC
I DD
SKIP = AGND, PWM_ = PGND_
SKIP = AGND, PWM_ = V CC
SKIP = AGND, PWM_ = PGND_,
T A = -40 ° C to +85 ° C
SHDN = SKIP = AGND, T A = -40 ° C to +85 ° C
SHDN = SKIP = AGND, T A = -40 ° C to +85 ° C
450
3
5
5
5
μA
mA
μA
μA
μA
GATE DRIVERS AND DEAD-TIME CONTROL
DH_ On-Resistance (Note 2)
DL_ On-Resistance (Note 2)
R DH
R DL _ HIGH
R DL _ LOW
V BST _ - V LX _ = 5V
High state (pullup)
Low state (pulldown)
1.0
1.0
0.35
4.5
4.5
2.0
?
?
TEMPERATURE SENSOR
DRHOT Output Low Voltage
I SINK = 3mA
0.4
V
LOGIC CONTROL SIGNALS
Logic Input High Voltage
Logic Input Low Voltage
SHDN , SKIP , PWM1, PWM2
SHDN , SKIP , PWM1, PWM2
2.4
0.8
V
V
Note 1: Static drivers instead of pulsed-level translators.
Note 2: Production testing limitations due to package handling require relaxed maximum on-resistance specifications for the
thin QFN package.
Note 3: Specifications from -40 ° C to +100 ° C are guaranteed by design, not production tested.
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